5年前《自然》雜志的一篇論文，讓“憶阻器”三個字廣為人知。這一被美國加州大學(xué)伯克利分校教授蔡少棠于1971年預(yù)言存在的第四種基本電路元件，在經(jīng)歷晶體管時代漫長的“下落不明”后，被惠普實(shí)驗(yàn)室首先“找到”，轟動了全球電子學(xué)界。

憶阻器，全稱記憶電阻(Memristor)。它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此，通過測定憶阻的阻值，便可知道流經(jīng)它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。1971年 ，蔡少棠從邏輯和公理的觀點(diǎn)指出，自然界應(yīng)該還存在一個電路元件，它表示磁通與電荷的關(guān)系。2008年，惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實(shí)現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲器。并且，基于憶阻的隨機(jī)存儲器的集成度，功耗，讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式 。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。

憶阻器和 Crossbar Latch 的組合代表的是電腦科技的全新進(jìn)展，或許能讓我們再一次延續(xù)摩爾定律的生命，朝向被機(jī)器人統(tǒng)治的未來前進(jìn)。

惠普實(shí)驗(yàn)室的研究人員認(rèn)為RRAM就是Chua所說的憶阻器，其報道的基于TiO2的RRAM器件在2008年5月1日的《自然》期刊上發(fā)表。加州大學(xué)伯克利分校教授蔡少棠，1971年發(fā)表《憶阻器：下落不明的電路元件》論文，提供了憶阻器的原始理論架構(gòu)，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。惠普實(shí)驗(yàn)室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標(biāo)題，呼應(yīng)前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時表示，當(dāng)年他提出論文后，數(shù)十年來不曾繼續(xù)鉆研，所以當(dāng)惠普實(shí)驗(yàn)室人員幾個月前和他聯(lián)系時，他吃了一驚。

RRAM可使手機(jī)將來使用數(shù)周或更久而不需充電;使個人電腦開機(jī)后立即啟動;筆記型電腦在電池耗盡之后很久仍記憶上次使用的信息。憶阻器也將挑戰(zhàn)掌上電子裝置內(nèi)普遍使用的閃存，因?yàn)樗哂嘘P(guān)閉電源后仍記憶數(shù)據(jù)的能力。RRAM將比今日的閃存更快記憶信息，消耗更少電力，占用更少空間。憶阻器跟人腦運(yùn)作方式頗為類似，惠普說或許有天，電腦系統(tǒng)能利用憶阻器，像人類那樣將某種模式(patterns)記憶與關(guān)聯(lián)。

RRAM為制造非易失性存儲設(shè)備、即開型PC、更高能效的計算機(jī)和類似人類大腦方式處理與聯(lián)系信息的模擬式計算機(jī)等鋪平了道路，未來甚至可能會通過大大提高晶體管所能達(dá)到的功能密度，對電子科學(xué)的發(fā)展歷程產(chǎn)生重大影響。

研究人員表示，憶阻器器件的最有趣特征是它可以記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量。蔡教授原先的想法是：憶阻器的電阻取決于多少電荷經(jīng)過了這個器件。也就是說，讓電荷以一個方向流過，電阻會增加;如果讓電荷以反向流動，電阻就會減小。簡單地說，這種器件在任一時刻的電阻是時間的函數(shù)———或多少電荷向前或向后經(jīng)過了它。這一簡單想法的被證實(shí)，將對計算及計算機(jī)科學(xué)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。

憶阻器概念股的龍頭股最有可能是哪幾只?

憶阻器概念股的龍頭股最有可能從以下幾個股票中誕生安納達(dá)、 龍蟒佰利、 中核鈦白。

憶阻器概念上市公司一共有多少家?

憶阻器概念一共有3家上市公司，其中0家憶阻器概念上市公司在上證交易所交易，另外3家憶阻器概念上市公司在深交所交易。

憶阻器概念股有哪些?憶阻器概念股一覽

安納達(dá)(股票代碼：002136)

龍蟒佰利(股票代碼：002601)

中核鈦白(股票代碼：002145)